主要用途

主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

由于本機有特殊的找平機構，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適用非圓形基片和小型基片的曝光。

＊這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機;

＊這臺機器又能完成普通光刻機的任何工作；

＊同時又是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

工作方式

本機為雙面對準單面曝光

主要構成

主要由高精度特制的翻版機構，雙視場CCD顯微鏡顯示系統，采用高均勻性的多點光源、蠅眼、LED、曝光頭，氣動管路系統、真空管路系統，直聯式無油真空泵。二級防震工作臺等組成。

主要技術指標

⒈  高均勻性、多點光源、蠅眼、LED、曝光頭

＊采用350W直流球形汞燈

＊出射光斑≤φ160mm

＊光強≥20mw

＊光的不均勻性≤±3%

＊光強度可通過光闌調節，3～20mw任意調節

＊曝光時間采用0～999.9秒時間繼電器控制

⒉ 觀察系統為上下各兩個單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到液晶顯視屏上

＊單筒顯微鏡為0.7X～4.5X連續變倍顯微鏡

＊CCD攝像機靶面對角線尺寸為：1/3″,6mm

＊采用19″液晶監視器，其數字放大倍率為19×25.4/6=56倍

＊觀察系統放大倍數為：

0.7×56=39倍（***小倍數）  1.7×56=95倍（** 小倍數）

4.5×56=252倍（******倍數）10×56=560倍 （******倍數） 

＊右表板上有一視屏轉換開關：向左為上二個CCD，向右為下二個CCD⒊專用計算機軟件系統

⒋非常特殊的板架裝置：

主要功能特點

＊ 該裝置能分別裝入100×100板架或125×125板架，或150×150板架， 或175×175板架，按用戶要求另配置63×63板架，對版進行真空吸附；

  該裝置安裝在機座上，能圍繞基礎點作翻轉運動，相對于承片臺作＊上下翻轉運動，便于上下版和上下片

＊ 該裝置反復翻轉，重復精度為≤±2μm

＊ 該裝置具有補償基片楔形誤差之功能，保證版下平面與片上平面之良好接觸，以便提高曝光質量

＊承片臺調整裝置：

＊配備有Φ75mm、Φ100、Φ127mm、Φ150mm承片臺各一個，這四種承片臺有二個長方孔，下面二個CCD通過該孔能觀察到版或片的下平面；并實現真空密著曝光，Φ50基片不能實現真空密著曝光。

＊承片臺能作X、Y、θ運動，X、Y、可作±5mm運動，θ運動為±5°

承片臺密著環相對于版，能實現“真空密著”

＊（基片Φ75mm.Φ100mm.Φ127mm.Φ100152mm)

＊真空密著力≤-0.05Mpa為硬接觸

＊真空密著力≤-0.05Mpa～-0.02Mpa為軟接觸

＊真空密著力≤-0.02Mpa為微力接觸

＊工作條件、①電源：50HZ  220V。、②氣源：≥0.4Mpa。③尺寸：長900mm×寬650mm×高1500mm；④重量：～150kg