主要用途

⒈  主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。

⒉ 由于本機找平機構先進，找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、

銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片

的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

工作方式                                   

本機為單面對準、單面曝光。

主要構成

主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微鏡顯示系統、采用高均勻

性的多點光源、 蠅眼、LED、曝光頭，PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、二級防震工作臺和附件等組成。

主要功能特點

⒈適用范圍廣

適用于Φ100以下(***小尺寸為Φ5mm)，厚度5mm以下的各種基片 (包括非圓形基片)的對準曝光。

⒉分辨率高

采用高均勻性的蠅眼曝光頭，非常理想的三點式自動找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。

3. 套刻精度高、速度快

采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙；承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。    

⒋ 可靠性高

采用PLC控制器、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、檢修簡便。

⒌ 特設“碎片”處理功能

解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片

無法對準的問題。

主要技術指標

＊蠅眼曝光頭、可調光強的光欄

＊曝光類型：單面

＊曝光面積：≥φ110mm

＊曝光不均勻性：≤±3%

＊曝光強度：≥20mw

＊曝光分辨率：1μm

＊曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光模式

＊掃描范圍：X:±40mm   Y:±35mm

＊對準范圍：X、Y粗調±3mm、細調±0.3mm Q粗調±15°、

細調±3°對準精度：1μm

＊對準方式：XY維分頭調接或切斯曼機構調接

＊分離量：0～50μm可調

＊接觸－分離漂移：≤1μm

＊密著曝光方式：密著曝光可實現硬接觸、 軟接觸和微力接觸曝光

＊找平機構：三點式自動找平

＊顯微系統：雙視場CCD系統；連續可調（物鏡0.7X～4.5X連續變倍）

＊計算機圖像處理系統

＊ 掩模版尺寸：3″×3″ 4″×4″、5″×5″

＊ 基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″

＊基片厚度：≤5 mm

＊ 曝光燈功率：直流350W

＊曝光定時：0～999.9秒可調

＊曝光頭轉位：氣動

＊電源：單相AC220V 50Hz功耗≤1kW

＊潔凈空氣壓力：≥0.4Mpa

＊真空度：-0.07MPa～-0.09Mpa

＊尺寸：長920mm×寬680mm×高1600mm

＊重量：～170kg