主要用途

主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

由于本機有特殊的找平機構，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適用非圓形基片和小型基片的曝光。

工作方式

本機為一次性光刻曝光

主要技術指標

1、配置一件承片臺（承片臺具體尺寸可根據用戶需求制造）

2、曝光頭（采用高均勻性多點光源曝光頭）

＊出射光斑≤230mm；350W（高壓直流汞燈）

＊光的不均勻性在φ230mm范圍內≤±8%；

＊實現真空密著條件下曝光。

＊光的強度可通過X、Y、Z進行調節，曝光時間，通過0.1~999.9秒時間繼電器設定；

＊汞燈位置調節可通過精密的x、y、z調節裝置調節，調節量為x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米；

＊具有風扇冷卻裝置。

3、分辨率≥2μm 。

4、具備真空吸片功能。

5、具有真空密著和反吹氣的功能，通過調節密著真空的大小可以實現硬接觸曝光（密著真空≤-0.05 Mpa）、軟接觸曝光(密著真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光（密著真空≥-0.02Mpa）。

主要配置

＊多點曝光頭：1臺

＊曝光類型：一次性曝光

＊曝光面積：≥φ110mm

＊曝光不均勻性：≤±4%

＊曝光面積：≥φ230mm

＊曝光不均勻性：≤±8%

＊曝光強度：≥15mw

＊曝光分辨率：≤2μm

＊曝光模式：單面曝光

＊基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″φ5″、φ6″、φ7″、φ8″、φ9″

＊基片厚度：≤5 mm

＊曝光燈功率：350W

＊曝光定時：0～999.9秒可調

＊電源：單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

＊潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4Mpa

＊真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa

＊尺寸：長700mm×寬650mm×高1200mm；

＊重量：～110kg