主要用途

⒈  本機針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻機。

⒉  由于本機找平機構先進，找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、

銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片

的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

工作方式                                   

本機為單面對準、單面曝光。

主要構成

主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微鏡顯示系統、曝 光頭、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。

主要功能特點

1.適用范圍廣

適用于Φ160mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.結構先進

具有半球式找平機構和可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構。

3.操作簡便

采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現真空 吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理 都非常簡便。

4.可靠性高

采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5.特設“碎片”處理功能

解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

主要技術指標

＊曝光頭:采用高均勻性的多點光源、蠅眼、LED、曝光頭

＊曝光類型：單面

＊曝光面積：φ160mm

＊曝光不均勻性：≤±3%

＊掩模版尺寸：2.5’’×2.5’’ 4’’×4’’ 5”×5 ”6”×6”  7”×7”

＊基片尺寸：φ2″φ3″φ4″φ5″φ6″

＊基片厚度：≤5mm

＊曝光強度：≥30mw

＊曝光分辨率：≤1.0μm

＊曝光模式：套刻曝光

＊對準精度：1μm

＊掃描范圍：X：±40mm   Y：±35mm

＊對準范圍：承片臺相對于版運動為：

① x、y±5mm運動，放大比為400:1

② Q轉動為±5°

③ Z軸運動≤4mm

＊密著曝光方式：密著曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光

＊顯微系統：雙視場CCD系統；連續可調（物鏡0.7X～4.5X連續變倍）

＊計算機圖像處理系統

＊紫外光束角≤3°

＊紫外光中心波長365nm. 404nm.435nm可選

＊紫外光源壽命≥2萬小時（LED）

＊曝光定時：0～999.9秒可調

＊電源：AC220V 50Hz 1kW

＊空氣：P≥0.1MPa，耗氣量0.2m3/小時

＊真空度：-0.07MPa～-0.09MPa

＊外形尺寸：長918mm×寬680mm×高1450mm

＊重量：～160kg